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新世代的萧特基 (Schottky) 整流器产品 SBR 是 Diodes 公司独有的专利技术,运用金属氧化半导体 (MOS) 制程 (传统的萧特基使用双极制程) 来制造出色的双端装置,此等装置的顺向电压 (VF)
BR 的独家专利架构提供了高反向突崩效能,对于负面影响的尖波和电感负载突波,形成更大的保护带,真正提高车用产品的耐用性与可靠性。在典型的单脉冲突崩测试中,针对相同的电路状态,萧特基和 SBR 装置所测得的突崩能量分别为 7mJ 和 70mJ。 SBR「Q」产品组合提供高达 60A 的额定电流与 100V 的额定反向电压,另一个特性是较高温度时的反向漏电流可大幅降低,能将电