BR 的独家专利架构提供了高反向突崩效能，对于负面影响的尖波和电感负载突波，形成更大的保护带，真正提高车用产品的耐用性与可靠性。在典型的单脉冲突崩测试中，针对相同的电路状态，萧特基和 SBR 装置所测得的突崩能量分别为 7mJ 和 70mJ。 SBR「Q」产品组合提供高达 60A 的额定电流与 100V 的额定反向电压，另一个特性是较高温度时的反向漏电流可大幅降低，能将电路损耗减到最低，提高热失控的保护效能。 SBR 的顺向电压降也比萧特基更低，代表传导损耗较低，整体效率提升，例如在常见的反极性保护和飞轮二极管电路中即是如此。